| 描述 | MOSFET P-CH D-S 200V SOT-23 | FET 型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
|---|---|---|---|
| FET 特点 | 逻辑电平门 | 漏极至源极电压(Vdss) | 200V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 380mA | 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 2.35 欧姆 @ 500mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大） | 4.5V @ 250?A | 闸电荷(Qg) @ Vgs | 12nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds | 510pF @ 25V | 功率 - 最大 | 750mW |
| 安装类型 | 表面贴装 | 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商设备封装 | SOT-23-3（TO-236） | 包装 | 带卷 (TR) |
| 其它名称 | SI2327DS-T1-GE3TR |
