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SI2336DS-T1-GE3

制造商：-
晶体管极性：N-Channel
汲极/源极击穿电压：30 V
闸/源击穿电压：+/- 8 V
漏极连续电流：5.2 A

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参考价格

数量单价
1￥3.04
25￥2.28
100￥2.00
250￥1.73
500￥1.52

产品属性

描述	MOSFET 30V 107A N-CH MOSFET	电阻汲极/源极 RDS（导通）	0.042 Ohms at 4.5 V
配置	Single	最大工作温度	+ 150 C
安装风格	SMD/SMT	封装 / 箱体	SOT-23-3
封装	Reel	下降时间	10 nS
正向跨导 gFS（最大值/最小值）	30 S	栅极电荷 Qg	5.7 nC
最小工作温度	- 55 C	功率耗散	1.8 W
上升时间	10 nS	典型关闭延迟时间	20 nS
零件号别名	SI2336DS-GE3

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