您的位置：维库电子商城 > 半导体 > 分离式半导体 > si3443dv-t1-e3

SI3443DV-T1-E3

制造商：-
产品种类：MOSFET
晶体管极性：P-Channel
汲极/源极击穿电压：20 V
闸/源击穿电压：+/- 8 V

发布求购更多供应商

产品属性

描述	MOSFET 20V 4.4A 2W	漏极连续电流	4 A
电阻汲极/源极 RDS（导通）	0.065 Ohms	配置	Single
最大工作温度	+ 150 C	安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	SuperSOT-6	封装	Reel
下降时间	40 ns	最小工作温度	- 55 C
功率耗散	1.6 W	上升时间	32 ns
工厂包装数量	3000	典型关闭延迟时间	57 ns
零件号别名	SI3443DV-E3

si3443dv-t1-e3的相关型号：