| 描述 | MOSFET 60V 2.9A 3.3W 216mohm @ 10V | 漏极连续电流 | 2.2 A |
|---|---|---|---|
| 电阻汲极/源极 RDS（导通） | 216 mOhms | 配置 | Single Quad Drain |
| 最大工作温度 | + 150 C | 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 / 箱体 | TSOP | 封装 | Reel |
| 正向跨导 gFS（最大值/最小值） | 4 S | 栅极电荷 Qg | 4.4 nC |
| 最小工作温度 | - 55 C | 功率耗散 | 2000 mW |
| 工厂包装数量 | 3000 | 典型关闭延迟时间 | 16 ns, 18 ns |
| 零件号别名 | SI3459BDV-GE3 |
