您的位置：维库电子商城 > 半导体 > 分离式半导体 > si3459dv-t1-ge3

SI3459DV-T1-GE3

制造商：-
产品种类：MOSFET
晶体管极性：P-Channel
汲极/源极击穿电压：60 V
闸/源击穿电压：+/- 20 V

发布求购更多供应商

产品属性

描述	MOSFET 60V 2.2A 2.0W 200mohm @ 10V	漏极连续电流	2.2 A
电阻汲极/源极 RDS（导通）	0.22 Ohms	配置	Single
最大工作温度	+ 150 C	安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	TSOP-6	封装	Reel
最小工作温度	- 55 C	功率耗散	2 W
工厂包装数量	3000	零件号别名	SI3459DV-GE3

si3459dv-t1-ge3的相关型号：