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SI3464DV-T1-GE3

  • 制造商:-
  • 标准包装:3,000
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:FET - 单
  • 系列:TrenchFET?
  • FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物
  • 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

参考价格

  • 数量单价
  • 3000$0.20925
  • 6000$0.19575
  • 15000$0.18225
  • 30000$0.17213
  • 75000$0.16875
产品属性
描述MOSFET N-CH D-S 20V 6-TSOPFET 特点标准型
漏极至源极电压(Vdss)20V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C8A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C24 毫欧 @ 7.5A,4.5VId 时的 Vgs(th)(最大)1V @ 250?A
闸电荷(Qg) @ Vgs18nC @ 5V输入电容 (Ciss) @ Vds1065pF @ 10V
功率 - 最大3.6W安装类型表面贴装
封装/外壳6-TSOP(0.065",1.65mm 宽)供应商设备封装6-TSOP
包装带卷 (TR)其它名称SI3464DV-T1-GE3TR

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