描述 | MOSFET N-CH D-S 20V 6-TSOP | FET 特点 | 标准型 |
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漏极至源极电压(Vdss) | 20V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 8A |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C | 24 毫欧 @ 7.5A,4.5V | Id 时的 Vgs(th)(最大) | 1V @ 250?A |
闸电荷(Qg) @ Vgs | 18nC @ 5V | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 1065pF @ 10V |
功率 - 最大 | 3.6W | 安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | 6-TSOP(0.065",1.65mm 宽) | 供应商设备封装 | 6-TSOP |
包装 | 带卷 (TR) | 其它名称 | SI3464DV-T1-GE3TR |