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SI3499DV-T1

制造商：-
产品种类：MOSFET
晶体管极性：P-Channel
汲极/源极击穿电压：8 V
闸/源击穿电压：+/- 5 V

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产品属性

描述	MOSFET 8.0V 7.0A 2.0W 23mohm @ 4.5V	漏极连续电流	5.3 A
电阻汲极/源极 RDS（导通）	0.023 Ohms	配置	Single
最大工作温度	+ 150 C	安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	TSOP-6	封装	Reel
最小工作温度	- 55 C	功率耗散	1.1 W
工厂包装数量	3000	商标名	TrenchFET

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