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SI3552DV-T1

制造商：-
产品种类：MOSFET
晶体管极性：N and P-Channel
汲极/源极击穿电压：+/- 30 V
闸/源击穿电压：+/- 20 V

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产品属性

描述	MOSFET 30V 2.5/1.8A	漏极连续电流	2.5 A, 1.8 A
电阻汲极/源极 RDS（导通）	0.105 Ohms, 0.2 Ohms	配置	Dual
最大工作温度	+ 150 C	安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	TSOP-6	封装	Reel
最小工作温度	- 55 C	功率耗散	1.15 W
工厂包装数量	3000	商标名	TrenchFET
典型关闭延迟时间	13 ns at N Channel, 12 ns at P Channel

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