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  • Si3585CDV-T1-GE3

Si3585CDV-T1-GE3

  • 制造商:-
  • 产品种类:MOSFET
  • 晶体管极性:N and P-Channel
  • 汲极/源极击穿电压:+/- 20 V
  • 闸/源击穿电压:12 V

参考价格

  • 数量单价
  • 1¥2.48
  • 10¥2.42
  • 100¥1.73
  • 250¥1.52
  • 500¥1.38
产品属性
描述MOSFET 20 Volts 3.9 Amps 1.4 Watts漏极连续电流3.9 A, - 2.1 A
电阻汲极/源极 RDS(导通)0.048 Ohms, 0.162 Ohms配置Single
安装风格SMD/SMT封装 / 箱体TSOP-6
封装Reel下降时间8 ns, 7 ns
正向跨导 gFS(最大值/最小值)12 S, 1 S栅极电荷 Qg3.2 nC
功率耗散1.4 Watts上升时间20 ns, 10 ns
典型关闭延迟时间11 ns, 13 ns零件号别名SI3585CDV-GE3

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