描述 | MOSFET N/P-CH 30V 2.5/1.8A 6TSOP | FET 型 | N 和 P 沟道 |
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FET 特点 | 逻辑电平门 | 漏极至源极电压(Vdss) | 30V |
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 2.5A,1.8A | 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C | 105 毫欧 @ 2.5A,10V |
Id 时的 Vgs(th)(最大) | 1V @ 250?A | 闸电荷(Qg) @ Vgs | 3.2nC @ 5V |
输入电容 (Ciss) @ Vds | - | 功率 - 最大 | 1.15W |
安装类型 | 表面贴装 | 封装/外壳 | 6-TSOP(0.065",1.65mm 宽) |
供应商设备封装 | 6-TSOP | 包装 | 带卷 (TR) |
其它名称 | SI3552DV-T1-E3TR |