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  • SI3552DV-T1-E3

SI3552DV-T1-E3

  • 制造商:-
  • 数据列表:SI3552DV
  • 标准包装:3,000
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:FET - 阵列
  • 系列:TrenchFET?
  • 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

参考价格

  • 数量单价
  • 3000$0.2046
  • 6000$0.1914
  • 15000$0.1782
  • 30000$0.1683
  • 75000$0.165
产品属性
描述MOSFET N/P-CH 30V 2.5/1.8A 6TSOPFET 型N 和 P 沟道
FET 特点逻辑电平门漏极至源极电压(Vdss)30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C2.5A,1.8A开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C105 毫欧 @ 2.5A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大)1V @ 250?A闸电荷(Qg) @ Vgs3.2nC @ 5V
输入电容 (Ciss) @ Vds-功率 - 最大1.15W
安装类型表面贴装封装/外壳6-TSOP(0.065",1.65mm 宽)
供应商设备封装6-TSOP包装带卷 (TR)
其它名称SI3552DV-T1-E3TR

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