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SI3590DV-T1-GE3

  • 制造商:-
  • 标准包装:3,000
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:FET - 阵列
  • 系列:TrenchFET?
  • FET 型:N 和 P 沟道
  • 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

参考价格

  • 数量单价
  • 3000$0.3335
产品属性
描述MOSFET N/P-CH 30V 6-TSOPFET 特点逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)30V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C2.5A,1.7A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C77 毫欧 @ 3A,4.5VId 时的 Vgs(th)(最大)1.5V @ 250?A
闸电荷(Qg) @ Vgs4.5nC @ 4.5V输入电容 (Ciss) @ Vds-
功率 - 最大830mW安装类型表面贴装
封装/外壳6-TSOP(0.065",1.65mm 宽)供应商设备封装6-TSOP
包装带卷 (TR)

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