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SI3850DV-T1

制造商：-
晶体管极性：N and P-Channel
汲极/源极击穿电压：+/- 20 V
闸/源击穿电压：+/- 12 V
漏极连续电流：1.2 A, 0.85 A

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产品属性

描述	MOSFET 20V 1.2/0.85A	电阻汲极/源极 RDS（导通）	0.5 Ohms, 1 Ohms
配置	Dual	最大工作温度	+ 150 C
安装风格	SMD/SMT	封装 / 箱体	TSOP-6
封装	Reel	下降时间	20 ns
最小工作温度	- 55 C	功率耗散	1.25 W
上升时间	20 ns	工厂包装数量	3000
典型关闭延迟时间	20 ns at N Channel, 10 ns at P Channel

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