您的位置：维库电子商城 > 半导体 > 分离式半导体 > si3909dv-t1

SI3909DV-T1

制造商：-
产品种类：MOSFET
晶体管极性：P-Channel
汲极/源极击穿电压：20 V
闸/源击穿电压：+/- 12 V

发布求购更多供应商

产品属性

描述	MOSFET 20V 1.8A	漏极连续电流	1.8 A
电阻汲极/源极 RDS（导通）	0.2 Ohms	配置	Dual
最大工作温度	+ 150 C	安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	TSOP-6	封装	Reel
下降时间	34 ns	最小工作温度	- 55 C
功率耗散	1.15 W	上升时间	34 ns
工厂包装数量	3000	商标名	TrenchFET
典型关闭延迟时间	19 ns

si3909dv-t1的相关型号：