您的位置:维库电子商城 > 半导体 > 分离式半导体 > si4412dy-e3
  • SI4412DY-E3

SI4412DY-E3

  • 制造商:-
  • 产品种类:MOSFET
  • 晶体管极性:N-Channel
  • 汲极/源极击穿电压:30 V
  • 闸/源击穿电压:+/- 20 V
产品属性
描述MOSFET 30V 7A 2.5W漏极连续电流7 A
电阻汲极/源极 RDS(导通)28 mOhms配置Single
最大工作温度+ 150 C安装风格SMD/SMT
封装 / 箱体SOIC-8 Narrow封装Tube
下降时间19 ns最小工作温度- 55 C
功率耗散2.5 W上升时间12 ns
典型关闭延迟时间38 ns

si4412dy-e3的相关型号: