| 描述 | MOSFET 30V 9.0A 4.2W 32mohm @ 10V | 漏极连续电流 | 7 A |
|---|---|---|---|
| 电阻汲极/源极 RDS（导通） | 32 mOhms | 配置 | Single Quad Drain Triple Source |
| 最大工作温度 | + 150 C | 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 / 箱体 | SOIC-8 Narrow | 封装 | Reel |
| 下降时间 | 9 ns, 11 ns | 最小工作温度 | - 55 C |
| 功率耗散 | 2500 mW | 上升时间 | 13 ns, 89 ns |
| 工厂包装数量 | 2500 | 典型关闭延迟时间 | 23 ns, 22 ns |
| 零件号别名 | SI4431CDY-GE3 |
