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  • SI4435DDY-T1-E3

SI4435DDY-T1-E3

  • 制造商:-
  • 标准包装:2,500
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:FET - 单
  • 系列:TrenchFET?
  • FET 型:MOSFET P 通道,金属氧化物
  • 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

参考价格

  • 数量单价
  • 2500$0.2755
  • 5000$0.2565
  • 12500$0.247
  • 25000$0.2375
产品属性
描述MOSFET P-CH 30V 11.4A 8SOICFET 特点标准型
漏极至源极电压(Vdss)30V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C11.4A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C24 毫欧 @ 9.1A,10VId 时的 Vgs(th)(最大)3V @ 250?A
闸电荷(Qg) @ Vgs50nC @ 10V输入电容 (Ciss) @ Vds1350pF @ 15V
功率 - 最大5W安装类型表面贴装
封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)供应商设备封装8-SOICN
包装带卷 (TR)其它名称SI4435DDY-T1-E3-NDSI4435DDY-T1-E3TR

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