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  • SI4466DY

SI4466DY

描述MOSFET SO8 NCH 20V漏极连续电流15 A
电阻汲极/源极 RDS(导通)0.006 Ohms配置Single Quad Drain Triple Source
最大工作温度+ 150 C安装风格SMD/SMT
封装 / 箱体SOIC-8 Narrow封装Reel
下降时间35 ns正向跨导 gFS(最大值/最小值)70 S
最小工作温度- 55 C功率耗散2.5 W
上升时间27 ns工厂包装数量2500
典型关闭延迟时间95 ns零件号别名SI4466DY_NL

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