您的位置：维库电子商城 > 半导体 > 分离式半导体 > si4496dy-t1

SI4496DY-T1

制造商：-
产品种类：MOSFET
晶体管极性：N-Channel
汲极/源极击穿电压：100 V
闸/源击穿电压：+/- 20 V

发布求购更多供应商

产品属性

描述	MOSFET 100V 7.7A 1.4W	漏极连续电流	4.6 A
电阻汲极/源极 RDS（导通）	25 mOhms	配置	Single
最大工作温度	+ 150 C	安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	SOIC-8 Narrow	封装	Reel
下降时间	13 ns	最小工作温度	- 55 C
功率耗散	1.4 W	上升时间	13 ns
工厂包装数量	2500	典型关闭延迟时间	36 ns

si4496dy-t1的相关型号：