| 描述 | MOSFET 20V 9.1/5.3A 1.3W | 漏极连续电流 | 6.6 A, 3.8 A |
|---|---|---|---|
| 电阻汲极/源极 RDS（导通） | 20 mOhms, 60 mOhms | 配置 | Dual |
| 最大工作温度 | + 150 C | 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 / 箱体 | SOIC-8 Narrow | 封装 | Reel |
| 下降时间 | 50 ns at N Channel, 35 ns at P Channel | 最小工作温度 | - 55 C |
| 功率耗散 | 1.3 W | 上升时间 | 50 ns at N Channel, 35 ns at P Channel |
| 工厂包装数量 | 2500 | 商标名 | TrenchFET |
| 典型关闭延迟时间 | 31 ns at N Channel, 55 ns at P Channel |
