| 描述 | MOSFET 30/8V 8.8/5.7A 1.3W | 漏极连续电流 | 8.8 A, 5.7 A |
|---|---|---|---|
| 电阻汲极/源极 RDS（导通） | 18 mOhms, 42 mOhms | 配置 | Dual |
| 最大工作温度 | + 150 C | 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 / 箱体 | SOIC-8 Narrow | 封装 | Reel |
| 下降时间 | 8 ns at N Channel, 45 ns at P Channel | 最小工作温度 | - 55 C |
| 功率耗散 | 1.3 W | 上升时间 | 8 ns at N Channel, 45 ns at P Channel |
| 工厂包装数量 | 2500 | 商标名 | TrenchFET |
| 典型关闭延迟时间 | 35 ns at N Channel, 60 ns at P Channel |
