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Si4501BDY-T1-GE3

  • 制造商:-
  • 产品种类:MOSFET
  • 晶体管极性:N and P-Channel
  • 汲极/源极击穿电压:30 V, - 8 V
  • 闸/源击穿电压:20 V, 8 V

参考价格

  • 数量单价
  • 1¥3.31
  • 10¥3.17
  • 50¥2.35
  • 100¥2.00
  • 500¥1.86
产品属性
描述MOSFET 30 Volts 12 Amps 4.5 Watts漏极连续电流12 A, - 8 A
电阻汲极/源极 RDS(导通)0.0135 Ohms, 0.021 Ohms配置Dual
安装风格SMD/SMT封装 / 箱体SOIC-8
封装Reel下降时间8 ns, 9 ns
正向跨导 gFS(最大值/最小值)29 S, 24 S栅极电荷 Qg16.5 nC, 27.5 nC
功率耗散4.5 Watts上升时间11 ns, 12 ns
典型关闭延迟时间15 ns, 35 ns零件号别名SI4501BDY-GE3

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