| 描述 | MOSFET N/P-CH 20V 8-SOIC | FET 型 | N 和 P 沟道 |
|---|---|---|---|
| FET 特点 | 逻辑电平门 | 漏极至源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 7.2A，4.6A | 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 14.5 毫欧 @ 9.6A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大） | 1.8V @ 250?A | 闸电荷(Qg) @ Vgs | 18nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds | - | 功率 - 最大 | 1.1W |
| 安装类型 | 表面贴装 | 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装 | 8-SOICN | 包装 | 带卷 (TR) |
| 其它名称 | SI4511DY-T1-E3TR |
