| 描述 | MOSFET 30V 4.9/3.9A 2W | 电阻汲极/源极 RDS（导通） | 53 mOhms, 80 mOhms |
|---|---|---|---|
| 配置 | Dual | 最大工作温度 | + 150 C |
| 安装风格 | SMD/SMT | 封装 / 箱体 | SOIC-8 Narrow |
| 下降时间 | 10 ns at N Channel, 9 ns at P Channel | 最小工作温度 | - 55 C |
| 功率耗散 | 2 W | 上升时间 | 10 ns at N Channel, 9 ns at P Channel |
| 工厂包装数量 | 100 | 商标名 | TrenchFET |
| 典型关闭延迟时间 | 23 ns at N Channel, 21 ns at P Channel |
khz。 1. 2. 1 原边共用全桥控制的4 路pwm 信号产生 传统的全桥dc-dc 拓扑由4 只相同的开关管组成，需要2 路互反的pwm 控制信号，每路pwm 信号驱动对角的2 只开关管，2 路pwm 信号要求有死区，避免全桥直通。全桥拓扑的上桥臂驱动必须隔离，否则无法完成正确驱动，隔离电路一般采用光耦或磁性器件实现，电路复杂、体积大。设计采用2 个电源变压器原边绕组共用一个全桥开关，由于系统为+ 15 v单电源输入，因此全桥开关采用2 片内含pmos 和nmos 的si4532ady 实现，此时pwm 驱动脉冲无需隔离，即不用将全桥的上下臂驱动脉冲进行隔离，使用振荡电路的逻辑门进行驱动，简化了控制电路，同时该全桥开关为小体积的so - 8 封装，实现了最小pcb 设计。据此原理设计全桥开关需要4 路pwm 脉冲驱动，分为2 组，每组内互反，驱动对角的pmos 和nmos 开关，2 组之间带有死区，具体的4 路驱动脉冲时序要求如图2 所示。g11、g2、g22、g1为4路pwm 驱动，t1、t11为两个dc-dc 电源变压器，此处只画出了原边绕组，c 为隔直电容，能够有效地防 ...
