| 描述 | MOSFET 30 Volt 4.9/3.9A 2W | 漏极连续电流 | 3.9 A, 3.5 A |
|---|---|---|---|
| 电阻汲极/源极 RDS（导通） | 65 mOhms, 85 mOhms | 配置 | Dual |
| 最大工作温度 | + 150 C | 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 / 箱体 | SOIC-8 Narrow | 封装 | Reel |
| 下降时间 | 6 ns, 8 ns | 最小工作温度 | - 55 C |
| 功率耗散 | 2 W | 上升时间 | 9 ns, 9 ns |
| 工厂包装数量 | 2500 | 典型关闭延迟时间 | 18 ns, 14 ns |
| 零件号别名 | SI4532DY-E3 |
