| 描述 | MOSFET 30V 5.9/4.9A 2W | 电阻汲极/源极 RDS（导通） | 36 mOhms, 53 mOhms |
|---|---|---|---|
| 配置 | Dual | 最大工作温度 | + 150 C |
| 安装风格 | SMD/SMT | 封装 / 箱体 | SO-8 |
| 下降时间 | 14 ns at N Channel, 10 ns at P Channel | 最小工作温度 | - 55 C |
| 功率耗散 | 1.1 W | 上升时间 | 14 ns at N Channel, 10 ns at P Channel |
| 工厂包装数量 | 100 | 商标名 | TrenchFET |
| 典型关闭延迟时间 | 30 ns at N Channel, 40 ns at P Channel |
