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  • SI4539DY_Q

SI4539DY_Q

描述MOSFET SO8 COMP电阻汲极/源极 RDS(导通)0.053 Ohms
配置Dual Dual Drain最大工作温度+ 150 C
安装风格SMD/SMT封装 / 箱体SOIC-8 Narrow
封装Reel下降时间9 ns, 55 ns
正向跨导 gFS(最大值/最小值)7 S, 5 S最小工作温度- 55 C
功率耗散2 W上升时间14 ns, 10 ns
典型关闭延迟时间23 ns, 90 ns

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