| 描述 | N- AND P-CHANNEL 60 V (D-S) MOSF | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
|---|---|---|---|
| 配置 | N 和 P 沟道 | FET 功能 | - |
| 漏源电压（Vdss） | 60V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 6.2A（Ta），8A（Tc），3A（Ta），4.1A（Tc） |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 29 毫欧 @ 5A，10V，120 毫欧 @ 3.1A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250μA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值） | 11nC @ 10V，22nC @ 10V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 420pF @ 30V，650pF @ 30V |
| 功率 - 最大值 | 2W（Ta），3.6W（Tc） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商器件封装 | 8-SOIC |
