| 描述 | MOSFET N/P-CH DUAL 30V SO-8 | FET 型 | N 和 P 沟道 |
|---|---|---|---|
| FET 特点 | 标准型 | 漏极至源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 3.9A，3.5A | 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 65 毫欧 @ 3.9A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大） | 3V @ 250?A | 闸电荷(Qg) @ Vgs | 15nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds | 235pF @ 10V | 功率 - 最大 | 900mW |
| 安装类型 | 表面贴装 | 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装 | SO-8 | 包装 | 带卷 (TR) |
| 其它名称 | SI4532DY-NDSI4532DYTR |
