| 描述 | MOSFET 30V 4.9/3.9A 2W | 漏极连续电流 | 4.9 A, 3.9 A |
|---|---|---|---|
| 电阻汲极/源极 RDS（导通） | 53 mOhms, 80 mOhms | 配置 | Dual |
| 最大工作温度 | + 150 C | 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 / 箱体 | SOIC-8 Narrow | 封装 | Tube |
| 下降时间 | 10 ns at N Channel, 9 ns at P Channel | 最小工作温度 | - 55 C |
| 功率耗散 | 2 W | 上升时间 | 10 ns at N Channel, 9 ns at P Channel |
| 商标名 | TrenchFET | 典型关闭延迟时间 | 23 ns at N Channel, 21 ns at P Channel |
