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SI4559EY-T1-GE3

制造商：-
产品种类：MOSFET
晶体管极性：N and P-Channel
汲极/源极击穿电压：60 V
闸/源击穿电压：+/- 20 V

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产品属性

描述	MOSFET 60V 4.5/3.1A 2.4W 55/120mohm @ 10V	漏极连续电流	4.5 A, 3.1 A
电阻汲极/源极 RDS（导通）	55 mOhms, 120 mOhms	配置	Dual
最大工作温度	+ 175 C	安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	SOIC-8 Narrow	封装	Reel
最小工作温度	- 55 C	功率耗散	2.4 W
工厂包装数量	2500	零件号别名	SI4559EY-GE3

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