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  • SI4590DY-T1-GE3

SI4590DY-T1-GE3

  • 制造商:-
  • 现有数量:0现货查看交期
  • 价格:1 : ¥7.55000剪切带(CT)2,500 : ¥2.92909卷带(TR)
  • 系列:TrenchFET?
  • 包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态:在售
产品属性
描述MOSFET N/P CHAN 100V SO8 DUAL技术-
配置N 和 P 沟道FET 功能-
漏源电压(Vdss)100V25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)3.4A,2.8A
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)57 毫欧 @ 2A,10V不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)2.5V @ 250μA
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)11.5nC @ 10V不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)360pF @ 50V
功率 - 最大值2.4W,3.4W工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型表面贴装型封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商器件封装8-SOIC

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