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  • SI4618DY-T1-GE3

SI4618DY-T1-GE3

  • 制造商:-
  • 晶体管极性:N-Channel
  • 汲极/源极击穿电压:30 V
  • 闸/源击穿电压:+/- 16 V
  • 漏极连续电流:6.7 A, 11.4 A

参考价格

  • 数量单价
  • 1¥15.87
  • 25¥12.01
  • 100¥11.11
  • 250¥10.49
  • 500¥8.63
产品属性
描述MOSFET 30V 8/15.2A DUAL NCH MOSFET w/Shottky电阻汲极/源极 RDS(导通)17 mOhms, 10 mOhms
配置Dual最大工作温度+ 150 C
安装风格SMD/SMT封装 / 箱体SOIC-8 Narrow
封装Reel正向跨导 gFS(最大值/最小值)40 S, 47 S
栅极电荷 Qg29 nC, 39 nC最小工作温度- 55 C
功率耗散1.38 W, 2.35 W零件号别名SI4618DY-GE3

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