描述 | MOSFET N-CH/SCHOTTKY 30V 8SOIC | FET 特点 | 标准型 |
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漏极至源极电压(Vdss) | 30V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 22.4A |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C | 6.5 毫欧 @ 15A,10V | Id 时的 Vgs(th)(最大) | 2.7V @ 1mA |
闸电荷(Qg) @ Vgs | 100nC @ 10V | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 4190pF @ 15V |
功率 - 最大 | 5.9W | 安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) | 供应商设备封装 | 8-SOICN |
包装 | 带卷 (TR) |