您的位置：维库电子商城 > 半导体 > 分离式半导体 > si4652dy-t1-e3

SI4652DY-T1-E3

制造商：-
产品种类：MOSFET
晶体管极性：N-Channel
汲极/源极击穿电压：25 V
闸/源击穿电压：+/- 16 V

发布求购更多供应商

参考价格

数量单价
1500￥6.56
2500￥4.83

产品属性

描述	MOSFET 25V 30A 6.0W	漏极连续电流	21.5 A
电阻汲极/源极 RDS（导通）	3.5 mOhms	配置	Single
最大工作温度	+ 150 C	安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	SOIC-8 Narrow	封装	Reel
下降时间	11 ns	最小工作温度	- 55 C
功率耗散	3 W	上升时间	14 ns
工厂包装数量	2500	典型关闭延迟时间	40 ns
零件号别名	SI4652DY-E3

si4652dy-t1-e3的相关型号：