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SI4823DY-T1-GE3

制造商：-
晶体管极性：P-Channel
汲极/源极击穿电压：20 V
闸/源击穿电压：+/- 12 V
漏极连续电流：3.3 A

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参考价格

数量单价
1￥4.76
25￥3.66
100￥3.24
250￥2.76
500￥2.35

产品属性

描述	MOSFET 20V 4.1A P-CH MOSFET w/Shottky	电阻汲极/源极 RDS（导通）	108 mOhms
配置	Single	最大工作温度	+ 150 C
安装风格	SMD/SMT	封装 / 箱体	SOIC-8 Narrow
封装	Reel	正向跨导 gFS（最大值/最小值）	6 S
栅极电荷 Qg	8 nC	最小工作温度	- 55 C
功率耗散	2.8 W	零件号别名	SI4823DY-GE3

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