您的位置:维库电子商城 > 半导体 > 分离式半导体 > si4832dy-t1-e3

SI4832DY-T1-E3

  • 制造商:-
  • 产品种类:MOSFET
  • 晶体管极性:N-Channel
  • 汲极/源极击穿电压:30 V
  • 闸/源击穿电压:+/- 20 V
产品属性
描述MOSFET 30V 9A 2.5W漏极连续电流6.9 A
电阻汲极/源极 RDS(导通)18 mOhms配置Single
最大工作温度+ 150 C安装风格SMD/SMT
封装 / 箱体SO-8封装Reel
下降时间10 ns最小工作温度- 55 C
功率耗散1.4 W上升时间10 ns
工厂包装数量2500商标名Little Foot Plus
典型关闭延迟时间35 ns零件号别名SI4832DY-E3

si4832dy-t1-e3的相关型号: