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  • SI4835DY-E3

SI4835DY-E3

  • 制造商:-
  • 产品种类:MOSFET
  • 晶体管极性:P-Channel
  • 汲极/源极击穿电压:30 V
  • 闸/源击穿电压:+/- 25 V
产品属性
描述MOSFET 30V 8A 2.5W漏极连续电流8 A
电阻汲极/源极 RDS(导通)19 mOhms配置Single
最大工作温度+ 150 C安装风格SMD/SMT
封装 / 箱体SOIC-8 Narrow封装Tube
下降时间30 ns最小工作温度- 55 C
功率耗散2.5 W上升时间12 ns
典型关闭延迟时间32 ns

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