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  • SI4866BDY-T1-E3

SI4866BDY-T1-E3

  • 制造商:-
  • 标准包装:2,500
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:FET - 单
  • 系列:-
  • FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物
  • 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

参考价格

  • 数量单价
  • 2500$0.4522
产品属性
描述MOSFET N-CH 12V 21.5A 8-SOICFET 特点标准型
漏极至源极电压(Vdss)12V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C21.5A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C5.3 毫欧 @ 12A,4.5VId 时的 Vgs(th)(最大)1V @ 250?A
闸电荷(Qg) @ Vgs80nC @ 4.5V输入电容 (Ciss) @ Vds5020pF @ 6V
功率 - 最大4.45W安装类型表面贴装
封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)供应商设备封装8-SOICN
包装带卷 (TR)

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