| 描述 | MOSFET DUAL N-CH 30V 8-SOIC | FET 特点 | 逻辑电平门 |
|---|---|---|---|
| 漏极至源极电压(Vdss) | 30V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 5.5A，5.7A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 23 毫欧 @ 7A，10V | Id 时的 Vgs(th)（最大） | 2.5V @ 250?A |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | 8.5nC @ 4.5V | 输入电容 (Ciss) @ Vds | - |
| 功率 - 最大 | 1.1W，1.16W | 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 供应商设备封装 | 8-SOICN |
| 包装 | 带卷 (TR) | 其它名称 | SI4914DY-T1-E3TR |
