您的位置：维库电子商城 > 半导体 > 分离式半导体 > si4925bdy-e3

SI4925BDY-E3

制造商：-
晶体管极性：P-Channel
汲极/源极击穿电压：30 V
闸/源击穿电压：+/- 20 V
漏极连续电流：5.3 A

发布求购更多供应商

Data sheet：下载

产品属性

描述	MOSFET 30V 7.1A 2W	电阻汲极/源极 RDS（导通）	25 mOhms
配置	Dual	最大工作温度	+ 150 C
安装风格	SMD/SMT	封装 / 箱体	SOIC-8 Narrow
封装	Tube	下降时间	34 ns
最小工作温度	- 55 C	功率耗散	1.1 W
上升时间	12 ns	工厂包装数量	100
商标名	TrenchFET	典型关闭延迟时间	60 ns

si4925bdy-e3的相关型号：