您的位置：维库电子商城 > 半导体 > 分离式半导体 > si4925dy-t1

SI4925DY-T1

制造商：-
产品种类：MOSFET
晶体管极性：P-Channel
汲极/源极击穿电压：30 V
闸/源击穿电压：+/- 20 V

发布求购更多供应商

参考价格

数量单价
740￥21.53
2500￥17.60
5000￥13.94

产品属性

描述	MOSFET 30V 6.1A 2W	漏极连续电流	4.7 A
电阻汲极/源极 RDS（导通）	32 mOhms	配置	Dual
最大工作温度	+ 150 C	安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	SOIC-8 Narrow	封装	Reel
下降时间	20 ns	最小工作温度	- 55 C
功率耗散	1.1 W	上升时间	10 ns
工厂包装数量	2500	商标名	TrenchFET
典型关闭延迟时间	55 ns

si4925dy-t1的相关型号：