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SI4953DY-E3

制造商：-
晶体管极性：P-Channel
汲极/源极击穿电压：30 V
闸/源击穿电压：+/- 20 V
漏极连续电流：4.9 A

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产品属性

描述	MOSFET 30V 4.9A 2W	电阻汲极/源极 RDS（导通）	53 mOhms
配置	Dual	最大工作温度	+ 150 C
安装风格	SMD/SMT	封装 / 箱体	SOIC-8 Narrow
封装	Tube	下降时间	15 ns
最小工作温度	- 55 C	功率耗散	2 W
上升时间	13 ns	工厂包装数量	100
典型关闭延迟时间	25 ns

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