| 描述 | MOSFET 30/20V 5.0/7.0A 5.4/2.7mohm@10/4.5V | 漏极连续电流 | 3.8 A, 5.3 A |
|---|---|---|---|
| 电阻汲极/源极 RDS（导通） | 54 mOhms, 27 mOhms | 配置 | Dual |
| 最大工作温度 | + 150 C | 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 / 箱体 | SOIC-8 Narrow | 封装 | Reel |
| 下降时间 | 10 ns at Channel 1, 40 ns at Channel 2 | 最小工作温度 | - 55 C |
| 功率耗散 | 1.1 W | 上升时间 | 10 ns at Channel 1, 40 ns at Channel 2 |
| 工厂包装数量 | 2500 | 典型关闭延迟时间 | 30 ns at Channel 1, 125 ns at Channel 2 |
| 零件号别名 | SI4955DY-E3 |
