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SI4965DY

制造商：-
晶体管极性：P-Channel
汲极/源极击穿电压：8 V
闸/源击穿电压：+/- 8 V
漏极连续电流：8 A

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产品属性

描述	MOSFET 8V 8A 2W	电阻汲极/源极 RDS（导通）	21 mOhms
配置	Dual	最大工作温度	+ 150 C
安装风格	SMD/SMT	封装 / 箱体	SOIC-8 Narrow
下降时间	90 ns	最小工作温度	- 55 C
功率耗散	2 W	上升时间	45 ns
工厂包装数量	100	典型关闭延迟时间	170 ns

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