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SI4966DY

制造商：-
晶体管极性：N-Channel
汲极/源极击穿电压：20 V
闸/源击穿电压：+/- 12 V
漏极连续电流：7.1 A

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产品属性

描述	MOSFET 20V 7.1A 2W	电阻汲极/源极 RDS（导通）	25 mOhms
配置	Dual	最大工作温度	+ 150 C
安装风格	SMD/SMT	封装 / 箱体	SOIC-8 Narrow
下降时间	40 ns	最小工作温度	- 55 C
功率耗散	2 W	上升时间	40 ns
工厂包装数量	100	典型关闭延迟时间	90 ns

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