| 描述 | MOSFET 20V 6.0A 10.4W | 漏极连续电流 | 6 A, 4.8 A |
|---|---|---|---|
| 电阻汲极/源极 RDS（导通） | 36 mOhms, 64 mOhms | 配置 | Dual |
| 最大工作温度 | + 150 C | 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 / 箱体 | PowerPAK-8 ChipFET Dual | 封装 | Reel |
| 下降时间 | 6 ns, 8.5 ns | 最小工作温度 | - 55 C |
| 功率耗散 | 2.27 W | 上升时间 | 15 ns, 11 ns |
| 工厂包装数量 | 3000 | 典型关闭延迟时间 | 22 ns, 25 ns |
| 零件号别名 | SI5519DU-E3 |
