| 描述 | MOSFET N-CH 20V 6A PPAK CHIPFET | FET 型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
|---|---|---|---|
| FET 特点 | 二极管（隔离式） | 漏极至源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 6A | 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 39 毫欧 @ 4.4A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大） | 1V @ 250?A | 闸电荷(Qg) @ Vgs | 16nC @ 8V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds | 520pF @ 10V | 功率 - 最大 | 8.3W |
| 安装类型 | 表面贴装 | 封装/外壳 | PowerPAK? CHIPFET? 双 |
| 供应商设备封装 | PowerPAK? ChipFet 双 | 包装 | 带卷 (TR) |
| 其它名称 | SI5858DU-T1-E3TR |
