| 描述 | MOSFET P-CH 1206-8 | FET 特点 | 二极管（隔离式） |
|---|---|---|---|
| 漏极至源极电压(Vdss) | 20V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 4A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 84 毫欧 @ 3.7A，10V | Id 时的 Vgs(th)（最大） | 1.5V @ 250?A |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | 12nC @ 10V | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 330pF @ 10V |
| 功率 - 最大 | 3.1W | 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SMD，扁平引线 | 供应商设备封装 | 1206-8 ChipFET? |
| 包装 | 带卷 (TR) | 其它名称 | SI5913DC-T1-GE3TR |
