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SI5938DU-T1-GE3

制造商：-
产品种类：MOSFET
晶体管极性：N-Channel
汲极/源极击穿电压：20 V
闸/源击穿电压：+/- 8 V

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产品属性

描述	MOSFET 20V 6.0A 8.3W 39mohm @ 4.5V	漏极连续电流	7.2 A
电阻汲极/源极 RDS（导通）	39 mOhms	配置	Dual
最大工作温度	+ 150 C	安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	PowerPAK-8 ChipFET Dual	封装	Reel
下降时间	10 ns	最小工作温度	- 55 C
功率耗散	2.3 W	上升时间	65 ns
工厂包装数量	3000	典型关闭延迟时间	40 ns
零件号别名	SI5938DU-GE3

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