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  • SI5947DU-T1-E3

SI5947DU-T1-E3

  • 制造商:-
  • 数据列表:SI5947DU
  • 标准包装:3,000
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:FET - 阵列
  • 系列:TrenchFET?
  • 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品属性
描述MOSFET DUAL P-CH 20V 6A 8PWRPAKFET 型2 个 P 沟道(双)
FET 特点逻辑电平门漏极至源极电压(Vdss)20V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C6A开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C58 毫欧 @ 3.6A,4.5V
Id 时的 Vgs(th)(最大)1.5V @ 250?A闸电荷(Qg) @ Vgs17nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds480pF @ 10V功率 - 最大2.3W
安装类型表面贴装封装/外壳PowerPAK? CHIPFET? 双
供应商设备封装PowerPAK? ChipFet 双包装带卷 (TR)
其它名称SI5947DU-T1-E3TR

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